PersCom — Компьютерная Энциклопедия Компьютерная Энциклопедия

Оперативная память

Модули памяти

Назначение выводов модулей DDR DIMM

В таблице показана конфигурация выводов 184-контактного модуля памяти DDR SDRAM DIMM. Обратите внимание, что контакты, расположенные на разных сторонах платы памяти, различны, но все они должны быть позолоченными.

Выводы 184-контактного модуля DDR DIMM

Модуль DIMM памяти DDR SDRAM имеет ключ, который указывает на используемое напряжение (см. рисунок).

Ключ 184-контактного модуля DIMM памяти DDR SDRAM

По обеим сторонам модуля расположены два паза, предназначенные для обеспечения совместимости с разъемами памяти разных профилей. Расположение ключа (слева, в центре или справа от промежутка между контактами 52 и 53) не только соответствует определенному напряжению, но и предотвращает установку модуля в не подходящий для него разъем.

Назначение выводов модулей DDR2 DIMM

В таблице представлена конфигурация выводов 240-контактного модуля DDR2 SDRAM DIMM. Выводы 1–120 размещены на одной стороне, а выводы 121–240 — на другой стороне модуля. Все выводы позолочены.

Модули DDR2 DIMM c 240 контактами имеют по два ключа на каждой стороне модуля, что обеспечивает совместимость модулей с низко- и высокопрофильными фиксаторами разъемов системной платы. Ключ соединителя смещен по отношению к центру модуля DIMM во избежание установки модуля обратной стороной в разъем. Метка ключа размещена в центре между контактами 64 и 65 передней стороны модуля (между контактами 184 и 185 на задней стороне). Все модули DDR2 DIMM работают с напряжением 1,8 В, поэтому ключ напряжения отсутствует.

Назначение выводов модулей DDR3 DIMM

В таблице показана конфигурация выводов 240-контактного модуля памяти DDR3 SDRAM DIMM. Выводы 1–120 находятся на передней, а 121–240 — на задней стороне модуля. Все контакты позолочены.

Модули DDR3 DIMM c 240 контактами имеют по два ключа на каждой стороне, что обеспечивает совместимость модулей с низко- и высокопрофильными фиксаторами разъемов системной платы. Ключ соединителя смещен по отношению к центру модуля DIMM во избеание установки модуля обратной стороной в разъем. Метка ключа размещена в центре между контактами 48 и 49 передней стороны модуля (между контактами 168 и 169 на задней стороне). Все модули DDR3 DIMM работают с напряжением 1,5 В, поэтому ключ напряжения отсутствует.

Назначение выводов модулей RIMM

Каждый модуль RIMM имеет 184 позолоченных контакта (выдерживающих 25 операций вставки/извлечения), разделенных на две группы по 92 контакта на каждой стороне модуля.

Выводы 184-контактного модуля RIMM

Модули RIMM имеют посередине два ключа, которые, с одной стороны, предотвращают неправильную установку в разъем, а с другой — указывают рабочее напряжение. В настоящее время практически все модули RIMM имеют рабочее напряжение 2,5 В, новые 64-разрядные версии получат рабочее напряжение только 1,8 В. Для новых типов модулей предназначены дополнительные ключи (см. рисунок ниже). Один из ключей в модуле имеет фиксированное положение (он называется DATUM A), а на тип используемого модуля указывает другой ключ, который расположен на некотором расстоянии (с приращением 1 или 2 мм) от первого ключа DATUM A. В настоящее время используются модули типа А (2,5 В). Параметры ключей и их назначение приведены в таблице ниже.

Расположение ключей модулей RIMM

Параметры ключей модулей RIMM и их назначение

В каждом модуле RIMM устанавливается микросхема SPD, которая представляет собой перезаписываемое ПЗУ. В нем хранится информация о размере и типе RIMM, включающая более подробные сведения для контроллера памяти. Контроллер считывает эту информацию и конфигурирует с ее помощью установленную память.

На следующем рисунке показана схема установки модуля RIMM. Котроллер RDRAM и тактовый генератор обычно устанавливаются на системной плате и являются частью северного моста. Как видите, три модуля RIMM подключаются последовательно к контроллеру памяти. Каждый модуль содержит 4, 8 или 16 микросхем RDRAM, а также микросхему SPD. Каждый новый модуль RIMM необходимо подключать непосредственно за последним установленным. В пустые разъемы необходимо устанавливать модули согласования. Временные характеристики работы памяти накладывают ограничение на расстояние между первым разъемом RIMM и контроллером памяти на системной плате — не более 6 дюймов (15 мм). Общая длина шины не должна превышать расстояние, которое сигнал пройдет за четыре такта (около 5 нс).

Установка модулей RIMM на системной плате

Интересно, что компания Rambus не производит ни микросхем RDRAM, ни модулей RIMM; это делают другие компании. Rambus специализируется на разработке микросхем, а не на их производстве, позволяя другим компаниям использовать ее технологию при производстве устройств и модулей.

Определение объема и других характеристик модулей памяти

На большинстве модулей памяти есть наклейка с указанием его типа, быстродействия, объема и производителя. Если необходимо определить, можно ли использовать имеющийся в наличии модуль в новом компьютере, или заменить модуль памяти в старом компьютере, сведения, представленные на наклейке, могут оказаться весьма полезными. На рисунке показана маркировка типичных модулей DDR объемом 512 Мбайт и 1 Гбайт производства Crucial Technologies.

Даже если на модулях нет никаких наклеек, все необходимые характеристики модулей все равно можно узнать. Предположим, у вас есть модуль памяти, содержащий микросхемы со следующей маркировкой:

MT46V64M8TG–75

Обратившись к любой поисковой системе, например Google, и задав маркировку микросхемы, можно получить все необходимые сведения. Рассмотрим пример. Предположим, у нас есть регистровый модуль и необходимо узнать шифр компонента (part number) для микросхем памяти (как правило, это восемь или более микросхем), а не для микросхем буфера на модуле (от одной до трех микросхем в зависимости от конкретного модуля). В данном случае мы имеем дело с микросхемой производства Micron, характеристики которой расшифровываются следующим образом.

  • MT — Micron Technologies (производитель микросхем памяти)
  • 46 — DDR SDRAM
  • V — напряжение питания 2,5 В
  • 64M8 — 8 млн. строк × 8 (равно 64) × 8 банков (часто задается в виде 64 Meg × 8)
  • TG — 66-контактный копус микросхемы TSOP
  • –75 — время доступа 7,5 нс при задержке CL2 (DDR 266)

Маркировки модулей памяти DDR

Полная спецификация данного модуля доступна по адресу:

http://download.micron.com/pdf/datasheets/dram/ddr/512MBDDRx4x8x16.pdf

Из данного документа можно почерпнуть следующие сведения.

  • Модуль соответствует стандарту DDR266 и рассчитан на стандартное напряжение питания 2,5 В.
  • Модуль характеризуется временной задержкой CL2, а значит, его можно использовать в системах, требующих модулей с задержкой CL2 или большей (такой, как CL2.5 или CL3).
  • Емкость каждой микросхемы составляет 512 Мбит (64 × 8 = 512).
  • Каждая микросхема содержит 8 бит. Поскольку 8 бит образуют 1 байт, емкость модуля можно вычислить, объединив микросхемы памяти в группы по 8 штук. Если емкость каждой микросхемы составляет 512 Мбит, то емкость группы из 8 микросхем составит 512 Мбайт (512 Мбит × 8 = 512 Мбайт). Двухбанковый модуль содержит 2 группы по 8 микросхем общей емкостью 1 Гбайт (2 × 512 Мбит × 8 = 1024 Мбайт, или 1 Гбайт).

Если же модуль содержит 9 микросхем вместо 8 (или же 18 вместо 16), дополнительные чипы используются для проверки четности и поддержки ECC; подобные модули памяти чаще всего используются в серверах.

Чтобы определить емкость модуля памяти в мега# или гигабайтах, а также выяснить, поддерживает ли этот модуль ECC, подсчитайте количество микросхем на модуле и воспользуйтесь сведениями из таблицы, которая представленна ниже. Обратите внимание, что если количество микросхем составляет 8, то емкость микросхемы в мегабитах совпадает с емкостью модуля в мегабайтах.

Регистровый модуль содержит 9 или 18 микросхем памяти для обеспечения поддержки ECC и буфера.

Примечание!

Некоторые модули памяти содержат 16-битовые микросхемы. В данном случае для получения однобанкового модуля достаточно 4 микросхем (5 микросхем в случае поддержки четности/ECC), а для получения двухбанкового модуля — 8 микросхем (10 микросхем в случае поддержки четности/ECC). Объем подобных модулей обычно указывается в следующем виде: емкость микросхемы × 16, например 256 Мбит × 16.

Все необходимые сведения можно получить, введя название компании#производителя, тип памяти, а также тип организации модуля в соответствующем поле вашей любимой поисковой машины в Интернете. В частности, если задать тему Micron 64 Meg x 8 DDR DIMM, можно найти сведения о модулях объемом от 64 до 512 Мбайт производства компании Micron:

http://www.micron.com/products/support/designsupport/tools/ddrtoolbox/designfiles 

В таблице указываются тип организации модуля DIMM, плотность SDRAM и прочая информация о перечисленных модулях.

Как видите, немного поиграв в Шерлока Холмса, можно определить объем, быстродействие, а также тип модуля памяти, причем даже в том случае, если на модуле нет никаких наклеек. Главное, чтобы маркировка присутствовала хотя бы на микросхемах.

Совет!

Для идентификации модулей памяти и получения полезных сведений о компонентах компьютера, в частности о наборе микросхем системной логики, процессоре, свободных разъемах памяти на системной плате и т.д., можно использовать программы HWinfo и SiSoftware Sandra. Для загрузки пробных версий этих программ посетите сайты www.hwinfo.com и www.sisoftware.net.