В таблице показана конфигурация выводов 184-контактного модуля памяти DDR SDRAM DIMM. Обратите внимание, что контакты, расположенные на разных сторонах платы памяти, различны, но все они должны быть позолоченными.
Модуль DIMM памяти DDR SDRAM имеет ключ, который указывает на используемое напряжение (см. рисунок).
По обеим сторонам модуля расположены два паза, предназначенные для обеспечения совместимости с разъемами памяти разных профилей. Расположение ключа (слева, в центре или справа от промежутка между контактами 52 и 53) не только соответствует определенному напряжению, но и предотвращает установку модуля в не подходящий для него разъем.
В таблице представлена конфигурация выводов 240-контактного модуля DDR2 SDRAM DIMM. Выводы 1–120 размещены на одной стороне, а выводы 121–240 — на другой стороне модуля. Все выводы позолочены.
Модули DDR2 DIMM c 240 контактами имеют по два ключа на каждой стороне модуля, что обеспечивает совместимость модулей с низко- и высокопрофильными фиксаторами разъемов системной платы. Ключ соединителя смещен по отношению к центру модуля DIMM во избежание установки модуля обратной стороной в разъем. Метка ключа размещена в центре между контактами 64 и 65 передней стороны модуля (между контактами 184 и 185 на задней стороне). Все модули DDR2 DIMM работают с напряжением 1,8 В, поэтому ключ напряжения отсутствует.
В таблице показана конфигурация выводов 240-контактного модуля памяти DDR3 SDRAM DIMM. Выводы 1–120 находятся на передней, а 121–240 — на задней стороне модуля. Все контакты позолочены.
Модули DDR3 DIMM c 240 контактами имеют по два ключа на каждой стороне, что обеспечивает совместимость модулей с низко- и высокопрофильными фиксаторами разъемов системной платы. Ключ соединителя смещен по отношению к центру модуля DIMM во избеание установки модуля обратной стороной в разъем. Метка ключа размещена в центре между контактами 48 и 49 передней стороны модуля (между контактами 168 и 169 на задней стороне). Все модули DDR3 DIMM работают с напряжением 1,5 В, поэтому ключ напряжения отсутствует.
Каждый модуль RIMM имеет 184 позолоченных контакта (выдерживающих 25 операций вставки/извлечения), разделенных на две группы по 92 контакта на каждой стороне модуля.
Модули RIMM имеют посередине два ключа, которые, с одной стороны, предотвращают неправильную установку в разъем, а с другой — указывают рабочее напряжение. В настоящее время практически все модули RIMM имеют рабочее напряжение 2,5 В, новые 64-разрядные версии получат рабочее напряжение только 1,8 В. Для новых типов модулей предназначены дополнительные ключи (см. рисунок ниже). Один из ключей в модуле имеет фиксированное положение (он называется DATUM A), а на тип используемого модуля указывает другой ключ, который расположен на некотором расстоянии (с приращением 1 или 2 мм) от первого ключа DATUM A. В настоящее время используются модули типа А (2,5 В). Параметры ключей и их назначение приведены в таблице ниже.
В каждом модуле RIMM устанавливается микросхема SPD, которая представляет собой перезаписываемое ПЗУ. В нем хранится информация о размере и типе RIMM, включающая более подробные сведения для контроллера памяти. Контроллер считывает эту информацию и конфигурирует с ее помощью установленную память.
На следующем рисунке показана схема установки модуля RIMM. Котроллер RDRAM и тактовый генератор обычно устанавливаются на системной плате и являются частью северного моста. Как видите, три модуля RIMM подключаются последовательно к контроллеру памяти. Каждый модуль содержит 4, 8 или 16 микросхем RDRAM, а также микросхему SPD. Каждый новый модуль RIMM необходимо подключать непосредственно за последним установленным. В пустые разъемы необходимо устанавливать модули согласования. Временные характеристики работы памяти накладывают ограничение на расстояние между первым разъемом RIMM и контроллером памяти на системной плате — не более 6 дюймов (15 мм). Общая длина шины не должна превышать расстояние, которое сигнал пройдет за четыре такта (около 5 нс).
Интересно, что компания Rambus не производит ни микросхем RDRAM, ни модулей RIMM; это делают другие компании. Rambus специализируется на разработке микросхем, а не на их производстве, позволяя другим компаниям использовать ее технологию при производстве устройств и модулей.
На большинстве модулей памяти есть наклейка с указанием его типа, быстродействия, объема и производителя. Если необходимо определить, можно ли использовать имеющийся в наличии модуль в новом компьютере, или заменить модуль памяти в старом компьютере, сведения, представленные на наклейке, могут оказаться весьма полезными. На рисунке показана маркировка типичных модулей DDR объемом 512 Мбайт и 1 Гбайт производства Crucial Technologies.
Даже если на модулях нет никаких наклеек, все необходимые характеристики модулей все равно можно узнать. Предположим, у вас есть модуль памяти, содержащий микросхемы со следующей маркировкой:
MT46V64M8TG–75
Обратившись к любой поисковой системе, например Google, и задав маркировку микросхемы, можно получить все необходимые сведения. Рассмотрим пример. Предположим, у нас есть регистровый модуль и необходимо узнать шифр компонента (part number) для микросхем памяти (как правило, это восемь или более микросхем), а не для микросхем буфера на модуле (от одной до трех микросхем в зависимости от конкретного модуля). В данном случае мы имеем дело с микросхемой производства Micron, характеристики которой расшифровываются следующим образом.
Полная спецификация данного модуля доступна по адресу:
http://download.micron.com/pdf/datasheets/dram/ddr/512MBDDRx4x8x16.pdf
Из данного документа можно почерпнуть следующие сведения.
Если же модуль содержит 9 микросхем вместо 8 (или же 18 вместо 16), дополнительные чипы используются для проверки четности и поддержки ECC; подобные модули памяти чаще всего используются в серверах.
Чтобы определить емкость модуля памяти в мега# или гигабайтах, а также выяснить, поддерживает ли этот модуль ECC, подсчитайте количество микросхем на модуле и воспользуйтесь сведениями из таблицы, которая представленна ниже. Обратите внимание, что если количество микросхем составляет 8, то емкость микросхемы в мегабитах совпадает с емкостью модуля в мегабайтах.
Регистровый модуль содержит 9 или 18 микросхем памяти для обеспечения поддержки ECC и буфера.
Примечание!
Некоторые модули памяти содержат 16-битовые микросхемы. В данном случае для получения однобанкового модуля достаточно 4 микросхем (5 микросхем в случае поддержки четности/ECC), а для получения двухбанкового модуля — 8 микросхем (10 микросхем в случае поддержки четности/ECC). Объем подобных модулей обычно указывается в следующем виде: емкость микросхемы × 16, например 256 Мбит × 16.Все необходимые сведения можно получить, введя название компании#производителя, тип памяти, а также тип организации модуля в соответствующем поле вашей любимой поисковой машины в Интернете. В частности, если задать тему Micron 64 Meg x 8 DDR DIMM, можно найти сведения о модулях объемом от 64 до 512 Мбайт производства компании Micron:
http://www.micron.com/products/support/designsupport/tools/ddrtoolbox/designfiles
В таблице указываются тип организации модуля DIMM, плотность SDRAM и прочая информация о перечисленных модулях.
Как видите, немного поиграв в Шерлока Холмса, можно определить объем, быстродействие, а также тип модуля памяти, причем даже в том случае, если на модуле нет никаких наклеек. Главное, чтобы маркировка присутствовала хотя бы на микросхемах.
Совет!
Для идентификации модулей памяти и получения полезных сведений о компонентах компьютера, в частности о наборе микросхем системной логики, процессоре, свободных разъемах памяти на системной плате и т.д., можно использовать программы HWinfo и SiSoftware Sandra. Для загрузки пробных версий этих программ посетите сайты www.hwinfo.com и www.sisoftware.net.