Архитектура ЭВМ
Компоненты ПК
Интерфейсы
Мини блог
Самое читаемое
- Арифметико логическое устройство (АЛУ)
- Страничный механизм в процессорах 386+. Механизм трансляции страниц
- Организация разделов на диске
- Диск Picture CD
- White Book/Super Video CD
- Прямой доступ к памяти, эмуляция ISA DMA (PC/PCI, DDMA)
- Карты PCMCIA: интерфейсы PC Card, CardBus
- Таблица дескрипторов прерываний
- Разъемы процессоров
- Интерфейс Slot A
Процессоры
Внедрение примесей
- Подробности
- Родительская категория: Процессоры
- Категория: Производство процессоров
Напомним, что процесс формирования необходимого рисунка на кремниевой подложке требуется для создания в нужных местах полупроводниковых структур путем внедрения примеси. Для получения полупроводника n-типа обычно используют сурьму, мышьяк или фосфор. Для получения полупроводника р-типа в качестве примеси используют бор, галлий или алюминий.
Диффузию легирующей примеси осуществляют методом ионной имплантации: ионы нужной примеси выстреливаются ускорителем и проникают в поверхностные слои кремния. По окончании этапа ионной имплантации необходимый слой полупроводниковой структуры создан.
На этапе создания «рисунка» слоя используют современные технологии: Silicon strained technology (растянутого кремния) и Silicon on Insulator (кремний на диэлектрике). Это позволяет снизить токи утечки, увеличить диэлектрическое сопротивление затвора транзистора. В частности, совмещенную технологию SST + SOI применяет компания AMD при производстве процессоров по технормам 90 нм.