link980 link981 link982 link983 link984 link985 link986 link987 link988 link989 link990 link991 link992 link993 link994 link995 link996 link997 link998 link999 link1000 link1001 link1002 link1003 link1004 link1005 link1006 link1007 link1008 link1009 link1010 link1011 link1012 link1013 link1014 link1015 link1016 link1017 link1018 link1019 link1020 link1021 link1022 link1023 link1024 link1025 link1026 link1027 link1028 link1029 link1030 link1031 link1032 link1033 link1034 link1035 link1036 link1037 link1038 link1039 link1040 link1041 link1042 link1043 link1044 link1045 link1046 link1047 link1048 link1049 link1050 link1051 link1052 link1053 link1054 link1055 link1056 link1057 link1058 link1059 link1060 link1061 link1062 link1063 link1064 link1065 link1066 link1067 link1068 link1069 link1070 link1071 link1072 link1073 link1074 link1075 link1076 link1077 link1078 link1079 link1080 link1081 link1082 link1083 link1084 link1085 link1086 link1087 link1088 link1089 link1090 link1091 link1092 link1093 link1094 link1095 link1096 link1097 link1098 link1099 link1100 link1101 link1102 link1103 link1104 link1105 link1106 link1107 link1108 link1109 link1110 link1111 link1112 link1113 link1114 link1115 link1116 link1117

PersCom — Компьютерная Энциклопедия Компьютерная Энциклопедия

Процессоры

Фотолитография

На следующем этапе удаляют защитную пленку с тех мест, которые будут подвергаться дальнейшей обработке. Удаление пленки осуществляют травлением, а для защиты остальных областей от травления на поверхность пластины наносят слой так называемого фоторезиста. Термином «фоторезисты» обозначают светочувствительные и устойчивые к воздействию агрессивных факторов составы. Процесс нанесения фоторезиста и его дальнейшее облучение ультрафиолетом по заданному рисунку называется фотолитографией.

Для засветки нужных участков слоя фоторезиста используют специальный шаблон-маску. Чаще всего для этой цели применяют пластинки из оптического стекла с полученными фотографическим или иным способом непрозрачными элементами. Фактически такой шаблон содержит рисунок одного из слоев будущей микросхемы. Поскольку этот шаблон является эталоном, он должен быть выполнен с большой точностью. Ультрафиолетовое излучение, проходя сквозь шаблон, засвечивает только нужные участки поверхности слоя фоторезиста. После облученияфоторезист подвергают проявлению, в результате которого удаляются ненужные участки слоя. При этом открывается соответствующая часть слоя диоксида кремния.

Фотолитографический процесс является наиболее сложным в производстве микросхем. Дело в том, что в соответствии с законами волновой оптики минимальный размер пятна, в который фокусируется лазерный луч, определяется, кроме прочих факторов, длиной световой волны. Развитие литографической технологии со времени ее изобретения в начале 1970-х годов шло в направлении сокращения длины световой волны. Именно это позволяло уменьшать размеры элементов интегральной схемы. С середины 1980-х годов в фотолитографии использовали ультрафиолетовое излучение, получаемое с помощью лазера. Сейчас применяют технологию, получившую название EUV-литографии (Extreme UltraViolet — сверхжесткое ультрафиолетовое излучение с длиной волны 13 нм). EUV-литография делает возможной печать линий шириной до 30 нм.

В производстве процессоров используют сухой метод травления: для удаления с поверхности пластины диоксида кремния применяют ионизированный газ (плазму). После процедуры травления, то есть когда оголены нужные области чистого кремния, удаляется оставшаяся часть фотослоя. Таким образом, на кремниевой подложке остается рисунок, выполненный диоксидом кремния.