link840 link841 link842 link843 link844 link845 link846 link847 link848 link849 link850 link851 link852 link853 link854 link855 link856 link857 link858 link859 link860 link861 link862 link863 link864 link865 link866 link867 link868 link869 link870 link871 link872 link873 link874 link875 link876 link877 link878 link879 link880 link881 link882 link883 link884 link885 link886 link887 link888 link889 link890 link891 link892 link893 link894 link895 link896 link897 link898 link899 link900 link901 link902 link903 link904 link905 link906 link907 link908 link909 link910 link911 link912 link913 link914 link915 link916 link917 link918 link919 link920 link921 link922 link923 link924 link925 link926 link927 link928 link929 link930 link931 link932 link933 link934 link935 link936 link937 link938 link939 link940 link941 link942 link943 link944 link945 link946 link947 link948 link949 link950 link951 link952 link953 link954 link955 link956 link957 link958 link959 link960 link961 link962 link963 link964 link965 link966 link967 link968 link969 link970 link971 link972 link973 link974 link975 link976 link977 link978 link979

PersCom — Компьютерная Энциклопедия Компьютерная Энциклопедия

Процессоры

Производство процессоров

В современной микроэлектронике основными компонентами интегральных микросхем являются полупроводники р-типа и n-типа (в зависимости от типа проводимости). Основой полупроводников обоих типов служит кремний (Si), который в чистом виде плохо проводит электрический ток. Добавление (внедрение) в кремний определенной примеси позволяет радикально изменить его проводящие свойства. Примеси позволяют формировать комплиментарные металл-оксидные полупроводниковые (КМОП) транзисторы — основные структурные элементы современных микросхем. В отличие от механических переключателей, КМОП-транзисторы практически безынерционны и способны переходить из открытого в запертое состояние триллионы раз в секунду. Именно этой характеристикой, то есть способностью мгновенного переключения, и определяется в конечном счете быстродействие процессора, который состоит из десятков миллионов таких транзисторов.

Процесс создания микросхемы процессора начинается с выращивания цилиндрического монокристалла кремния диаметром 200 или 300 мм. В дальнейшем из таких монокристаллических заготовок (болванок) нарезают круглые пластины (wafers — вафли). Это и есть кремниевые подложки, служащие основой для производства микросхем. Понятно, что на пластине диаметром 200-300 мм можно разместить много микросхем, даже если речь идет о процессоре с десятками миллионов транзисторов. Для простоты мы рассмотрим процессы, происходящие лишь на одном участке.

После формирования кремниевой подложки наступает этап создания сложнейшей полупроводниковой структуры. Для этого в кремний внедряют примеси. Те области, куда не требуется внедрять примеси, защищают специальной пленкой из диоксида кремния, оставляя оголенными только те участки, которые подвергаются дальнейшей обработке. Процесс формирования проводящего слоя состоит из нескольких этапов. На первом этапе вся пластина кремния целиком покрывается тонкой пленкой диоксида кремния, который является хорошим изолятором и выполняет функцию защитной пленки.