link980 link981 link982 link983 link984 link985 link986 link987 link988 link989 link990 link991 link992 link993 link994 link995 link996 link997 link998 link999 link1000 link1001 link1002 link1003 link1004 link1005 link1006 link1007 link1008 link1009 link1010 link1011 link1012 link1013 link1014 link1015 link1016 link1017 link1018 link1019 link1020 link1021 link1022 link1023 link1024 link1025 link1026 link1027 link1028 link1029 link1030 link1031 link1032 link1033 link1034 link1035 link1036 link1037 link1038 link1039 link1040 link1041 link1042 link1043 link1044 link1045 link1046 link1047 link1048 link1049 link1050 link1051 link1052 link1053 link1054 link1055 link1056 link1057 link1058 link1059 link1060 link1061 link1062 link1063 link1064 link1065 link1066 link1067 link1068 link1069 link1070 link1071 link1072 link1073 link1074 link1075 link1076 link1077 link1078 link1079 link1080 link1081 link1082 link1083 link1084 link1085 link1086 link1087 link1088 link1089 link1090 link1091 link1092 link1093 link1094 link1095 link1096 link1097 link1098 link1099 link1100 link1101 link1102 link1103 link1104 link1105 link1106 link1107 link1108 link1109 link1110 link1111 link1112 link1113 link1114 link1115 link1116 link1117

PersCom — Компьютерная Энциклопедия Компьютерная Энциклопедия

Память. Нижний уровень

Основная память. ОЗУ

Основная память. ОЗУ. Блочная организация основной памяти

Основная память представляет собой единственный вид памяти, к которой ЦП может обращаться непосредственно. Основную память образуют запоминающие устройства с произвольным доступом. Каждая ячейка имеет уникальный адрес, позволяющий различать ячейки при обращении к ним для выполнения операций записи и считывания. Основная память может включать в себя два типа устройств: оперативные запоминающие устройства (ОЗУ) и постоянные запоминающие устройства (ПЗУ).

Преимущественную долю основной памяти образует ОЗУ, называемое оперативным, потому что оно допускает как запись, так и считывание информации, причем обе операции выполняются однотипно, практически с одной и той же скоростью. В англоязычной литературе ОЗУ соответствует аббревиатура RAM — Random Access Memory. Для большинства типов полупроводниковых ОЗУ характерна энергозависимость: даже при кратковременном прерывании питания хранимая информация теряется. Микросхема ОЗУ должна быть постоянно подключена к источнику питания и поэтому может использоваться только как временная память. Вторую группу полупроводниковых ЗУ основной памяти образуют энергонезависимые микросхемы ПЗУ (ROM — Read-Only Меmоrу). ПЗУ обеспечивает считывание информации, но не допускает ее изменения (в ряде случаев информация в ПЗУ может быть изменена, но этот процесс сильно отличается от считывания и требует значительно большего времени). Энергозависимые ОЗУ можно подразделить на две основные подгруппы: динамическую память (DRAM — Dynamic Rаndоm Access Меmory) и статическую память (SRAM — Static Rаndоm Access Меmory). В статических ОЗУ запоминающий элемент может хранить записанную информацию неограниченно долго (при наличии питающего напряжения). Запоминающий элемент динамического ОЗУ способен хранить информацию только в течение достаточно короткого промежутка времени, после которого информацию нужно восстанавливать заново, иначе она будет потеряна. Динамические ЗУ, как и статические, энергозависимы. Роль запоминающего элемента в статическом ОЗУ исполняет триггер. Taкой триггер представляет собой схему с двумя устойчивыми состояниями, обычно состоящую из четырех или шести транзисторов(см. рисунок ниже)

Схема элемента статического ЗУ

Запоминающий элемент (ЗЭ) динамической памяти значительно проще. Он состоит из одного конденсатора и запирающего транзистора (см. рисунок ниже). Простота схемы позволяет достичь высокой плотности размещения, в итоге, снизить стоимость. Главный недостаток подобной технологии связан с тем, что накапливаемый на конденсаторе заряд со временем теряется. Среднее время утечки заряда ЗЭ динамической памяти составляет сотни или даже десятки миллисекунд, поэтому, заряд необходимо успеть восстановить в течение данного отрезка времени, иначе информация будет утеряна. Периодическое восстановление заряда ЗЭ называется регенерацией и осуществляется каждые 2-10 мс.

Схема элемента динамического ЗУ

 

Адресное пространство памяти разбито на группы последовательных адресов. Каждая такая группа обеспечивается отдельным банком памяти. Для обращения используется 9-разрядный адрес, семь младших разрядов которого (А6 — А0) поступают параллельно на все банки памяти и выбирают в каждом из них одну ячейку. Два старших разряда адреса (А8, А7) содержат номер банка. Выбор банка обеспечивается либо с помощью дешифратора номера банка памяти, либо путем мультиплексирования информации (см. рисунок ниже, иллюстрирует оба варианта). В функциональном отношении такая ОП может рассматриваться как единое ЗУ, емкость которого равна суммарной емкости отдельных банков, а быстродействие — быстродействию отдельного банка.