Память. Нижний уровень

Регенерация памяти

Подробности

Родительская категория: Память. Нижний уровень

Категория: Микросхемы памяти

В различных типах микросхем динамической памяти нашли применение три основные метода регенерации (см. рисунок ниже):

1. одним сигналом RAS (ROR — RAS Only Refresh);
2. сигналом CAS, предваряющим, сигнал RAS (CBR — CAS Before RAS);
3. скрытая и автоматическая регенерация (SR — Self Refresh).

Временные диаграммы регенерации памяти в режимах ROR, CBR

Регенерация одним RAS использовалась еще в первых микросхемах DRAM. На шину адреса выдается адрес регенерируемой строки, сопровождаемый сигналом RAS. При этом выбирается строка ячеек и хранящиеся там данные поступают во внутренние цепи микросхемы, после чего записываются обратно. Так как сигнал CAS не появляется, цикл чтения/записи не начинается. В следующий раз на шину адреса подается адрес следующей строки и т. д., пока не восстановятся все строки, после чего цикл повторяется. К недостаткам метода можно отнести занятость шины адреса в момент регенерации, когда доступ к другим устройствам блокирован. Особенность метода CBR в том, что если в обычном цикле чтения/ записи сигнал RAS всегда предшествует сигналу CAS, то при появлении сигнала CAS первым начинается специальный цикл регенерации. В этом случае адрес строки не передается, а микросхема использует свой внутренний счетчик, содержимое которого увеличивается на единицу при каждом очередном СВR-цикле. Режим позволяет регенерировать память, не занимая шину адреса, то есть более эффективен (см. рисунок ниже).

Временные диаграммы регенерации памяти в режиме CBR — скрытой регенерации

• < Назад
• Вперёд >