Материалы

ФЛЭШ-память

Рейтинг:   / 0
ПлохоОтлично 

ФЛЭШ-память, появившаяся в конце 1980-х годов (Intel), является представителем класса перепрограммируемых постоянных ЗУ с электрическим стиранием. Однако стирание в ней осуществляется сразу целой области ячеек: блока или всей микросхемы. Это обеспечивает более быструю запись информации или, как иначе называют данную процедуру, программирование ЗУ. Для упрощения этой процедуры в микросхему включаются специальные блоки, делающие запись "прозрачной" (подобной записи в обычное ЗУ) для аппаратного и программного окружения.

ФЛЭШ-память строится на однотранзисторных элементах памяти (с "плавающим" затвором), что обеспечивает плотность хранения информации даже несколько более высокую, чем в динамической оперативной памяти. Существуют различные технологии построения базовых элементов ФЛЭШ-памяти, разработанные ее основными производителями. Эти технологии отличаются количеством слоев, методами стирания и записи данных, а также структурной организацией, что отражается в их названии. Наиболее широко известны NOR и NAND типы ФЛЭШ-памяти, запоминающие транзисторы в которых подключены к разрядным шинам, соответственно, параллельно и последовательно. Первый тип имеет относительно большие размеры ячеек и быстрый произвольный доступ (порядка 70 нс), что позволяет выполнять программы непосредственно из этой памяти. Второй тип имеет меньшие размеры ячеек и быстрый последовательный доступ, обеспечивая скорость передачи до 16 Мбайт/с), что более пригодно для построения устройств блочного типа, например, "твердотельных дисков".

Способность сохранять информацию при выключенном питании, малые размеры, высокая надежность и приемлемая цена привели к широкому распространению ФЛЭШ-памяти. Этот вид памяти применяется для хранения BIOS, построения так называемых "твердотельных" дисков (memory stick, memory drive и др.), карт памяти различного назначения и т.п. Причем, устройства на основе ФЛЭШ-памяти используются не только в ЭВМ, но и во многих других областях.

Элементы памяти ФЛЭШ-ЗУ организованы в матрицы, как и в других видах полупроводниковой памяти. Разрядность данных для микросхем составляет 1-2 байта. Операция чтения из ФЛЭШ-памяти выполняется как в обычных ЗУ с произвольным доступом (оперативных ЗУ или КЭШ). Однако запись сохраняет в себе некоторые особенности, аналогичные свойствам постоянных ЗУ. Перед записью данных в ЗУ ячейки, в которые будет производиться запись, должны быть очищены (стерты). Стирание заключается в переводе элементов памяти в состояние единицы и возможно только сразу для целого блока ячеек (в первых микросхемах предусматривалось стирание только для всей матрицы сразу). Выборочное стирание невозможно. Фактически при операции записи производится два действия: запись и считывание, но управление этими операциями производится внутренним автоматом и "прозрачно" для процессора.



Sitelinkx by eXtro-media.de
Яндекс.Метрика