Материалы

Внедрение примесей

Рейтинг:   / 0
ПлохоОтлично 

Напомним, что процесс формирования необходимого рисунка на кремниевой подложке требуется для создания в нужных местах полупроводниковых структур путем внедрения примеси. Для получения полупроводника n-типа обычно используют сурьму, мышьяк или фосфор. Для получения полупроводника р-типа в качестве примеси используют бор, галлий или алюминий.

Диффузию легирующей примеси осуществляют методом ионной имплантации: ионы нужной примеси выстреливаются ускорителем и проникают в поверхностные слои кремния. По окончании этапа ионной имплантации необходимый слой полупроводниковой структуры создан.

На этапе создания «рисунка» слоя используют современные технологии: Silicon strained technology (растянутого кремния) и Silicon on Insulator (кремний на диэлектрике). Это позволяет снизить токи утечки, увеличить диэлектрическое сопротивление затвора транзистора. В частности, совмещенную технологию SST + SOI применяет компания AMD при производстве процессоров по технормам 90 нм.

Яндекс.Метрика