Оперативная память

Оперативная память

Память RDRAM

Стандарт Rambus DRAM (RDRAM) представляет собой радикально новую архитектуру модулей памяти, которые устанавливались в высокопроизводительных компьютерах с 1999 по 2002 год. Компании Intel и Rambus подписали соглашение о сотрудничестве в 1996 году, в соответствии с которым Intel обязалась поддерживать память стандарта RDRAM до 2001 года. Уверенность в том, что любая предложенная этой компанией память будет безоговороч но поддержана потребителями, стала причиной вложения компанией Intel больших средств в развитие компании Rambus. Так как стандарт RDRAM был запатентован компанией Rambus, он не встретил особой поддержки в среде производителей наборов микросхем системной логики и материнских плат. В ответ на это компания Intel заверила общественность в своей поддержке этой памяти и выпустила в 1998 году первые наборы микросхем и материнские платы, поддерживающие эту память.

К сожалению, с продвижением на рынке наборов микросхем поддержки памяти RDRAM возникли проблемы ввиду большой задержки их выхода в свет. В то же время память DDR SDRAM быстро завоевывала рынок. Все это заставило компанию Intel пересмотреть свое отношение к технологии Rambus и прекратить инвестиции. После 2001 года Intel продолжала поддерживать память RDRAM, установленную в выпущенных ранее системах, однако новые наборы микросхем системной логики и системные платы были предназначены для DDR SDRAM. Более того, все последующие наборы микросхем и системные платы Intel поддерживают установку исключительно модулей памяти DDR и DDR2.

Изначально предполагалось, что память стандарта RDRAM будет сопровождать выпуск быстродействующих процессоров до 2006 года. Однако без поддержки Intel в виде разработки соответствующих наборов микросхем лишь очень небольшая часть компьютеров, проданных после 2002 года, была оснащена модулями памяти RDRAM. Отсутствие поддержки со стороны основных производителей системных плат и наборов микросхем ведет к тому, что роль стандарта RDRAM в будущем компьютерной индустрии станет весьма незначительной.

Стандарт RDRAM использует уникальную шину данных между микросхемами памяти, посредством которой специализированные устройства могут взаимодействовать друг с другом на очень высокой скорости. Стоит отметить, что данная технология была разработана для игровых компьютерных приставок и применяется в таких системах, как Nintendo 64 и Sony Playstation 2.

Обычные типы памяти (FPM/RDO и SDRAM) иногда называются устройствами с широким каналом. Ширина канала памяти равна ширине шины данных процессора (в системах Pentium — 64 бит). Максимальная производительность памяти SDRAM в исполнении DIMM составляет 100×8 (или 800) Мбайт/с (частота × количество данных, передаваемых за один такт).

С другой стороны, память RDRAM является устройством с узким каналом передачи данных. Количество данных, передаваемых за один такт, достигает только 16 бит (2 байт), не считая двух дополнительных битов контроля четности, однако скорость передачи данных гораздо выше. В настоящее время происходит постепенный переход от параллельной конструкции модулей памяти к последовательной, что напоминает процесс, происходивший в свое время с другими шинами ПК.

Одноканальные 16-разрядные модули памяти RIMM работали вначале с частотой 800 МГц, благодаря чему общая пропускная способность достигала 800×2 (или 1,6) Гбайт/с для одного канала, что совпадает с характеристиками памяти PC1600 DDR-SDRAM. В первых системах Pentium 4 использовались оба банка памяти одновременно, создавая двухканальную структуру с пропускной способностью 3,2 Гбайт/с, что соответствует быстродействию шины оригинального процессора Pentium 4. Одной из особенностей конструкции RDRAM является уменьшенное время ожидания между передачами данных. Это связано с циклически повторяющимися передачами, выполняемыми одновременно и только в одном направлении.

Современные модули памяти RIMM работают не только с исходной частотой 800 МГц, но и с частотами 1066 и 1200 МГц и существуют как в одноканальных 16-разрядных, так и в многоканальных 32- и 64-разрядных версиях, пропускная способность которых превышает 9,6 Гбайт/с.

Каждая отдельная микросхема, последовательно соединенная с последующей, называется RIMM (Rambus Inline Memory Module). Внешне модуль RIM выглядит подобно DIMM, однако они не взаимозаменяемы. Вся работа с памятью организуется между контроллером памяти и отдельным (а не всеми) устройством. Один канал Rambus содержит три разъема RIMM и может поддерживать до 32 устройств RDRAM (микросхем RDRAM) и больше при использовании буфера. В то же время в большинстве материнских плат устанавливается только два модуля на канал, чтобы избежать проблем с искажением сигнала.

Шина памяти RDRAM обеспечивает обмен данными между всеми устройствами и модулями, подключенными к шине, причем каждый модуль оснащен входными и выходными контактами, расположенными на противоположных друг другу сторонах платы. Следовательно, любые разъемы RDRAM, не содержащие модуль RIMM, требуют установки электропроводного непрерывного модуля для замыкания шины передачи данных. Сигналы, дошедшие до конечной области шины, ликвидируются системной платой.

Изначально 16-разрядный канал RIMM работал на частоте 800 МГц, что обеспечивало пропускную способность 1,6 Гбайт/с — такую же, как у модулей PC1600 DDR SDRAM. В системах на базе процессоров Pentium 4 обычно одновременно используется два банка памяти; таким образом, общая пропускная способность возрастает до 3,2 Гбайт/с, что совпадает с тактовой частотой процессоров Pentium 4. В конструкции RDRAM задержка между передачами данных уменьшена до предела, поскольку они выполняются синхронно в замкнутой системе, причем в одном направлении.

Новые версии модулей RIMM работают на частоте 1600 МГц, однако для их поддержки было выпущено совсем мало моделей наборов микросхем и материнских плат.

Каждая микросхема RDRAM в модуле RIMM1600 представляет собой обособленное устройство, подключенное к 16-разрядному каналу данных. Кроме того, микросхемы RDRAM имеют внутреннее ядро со 128-разрядной шиной, разделенной на восемь 16-разрядных банков памяти, работающих на частоте 100 МГц. Другими словами, каждые 10 нс (100 МГц) каждая микросхема RDRAM может передать 16 байт данных в ядро и обратно. Широкий внутренний и узкий внешний высокоскоростные интерфейсы являются ключевой характеристикой памяти RDRAM.

Для повышения производительности было предложено еще одно конструктивное решение: передача управляющей информации отделена от передачи данных по шине. Для этого предусмотрены независимые схемы управления, а на адресной шине выделены две группы контактов: для команд выбора строки и столбца и для передачи информации по шине данных шириной 2 байт. Шина памяти работает на частоте 400 МГц, однако данные передаются по фронтам тактового сигнала, т.е. дважды в тактовом импульсе. Правая граница тактового импульса называется четным циклом, а левая — нечетным. Синхронизация осуществляется с помощью передачи пакетов данных в начале четного цикла. Максимальное время ожидания составляет 2,5 нс.

Пять полных циклов тактового сигнала соответствуют десяти циклам данных.

Архитектура RDRAM также поддерживает множественные чередующиеся транзакции, одновременно выполняемые в отдельных временных областях, поэтому следующая передача данных может быть начата до завершения предыдущей.

Не менее важно то, что память RDRAM потребляет мало энергии. Напряжение питания модулей памяти RIMM, как и устройств RDRAM, составляет только 2,5 В. Напряжение низковольтного сигнала изменяется от 1,0 до 1,8 В, т.е. перепад напряжений равен 0,8 В. Кроме того, RDRAM имеет четыре режима пониженного потребления энергии и может автоматически переходить в режим ожидания на завершающей стадии транзакции, что позволяет еще больше снизить потребляемую мощность.

Как уже упоминалось, микросхемы RDRAM устанавливаются в модули RIMM, по размеру и форме подобные DIMM, но не взаимозаменяемые. Существуют модули памяти RIMM, объем которых достигает 1 Гбайт и более. Эти модули могут устанавливаться в системе по одному, поскольку каждый из них технически представляет собой сразу несколько банков памяти. Модули RIMM устанавливаются попарно только в том случае, если существующая системная плата поддерживает двухканальные модули RDRAM, а также если в системе применяются 16-разрядные модули RIMM.

Существующие модули памяти RIMM можно разделить по быстродействию на четыре основные группы, обычно работающие в двухканальной среде. Таким образом, модули RIMM обычно устанавливают парами — по одной паре в каждой группе разъемов. Каждая группа разъемов RIMM представляет собой один канал. В 32-разрядной версии в одно устройство объединено несколько каналов, при этом согласование пар необязательно. В таблице сравниваются различные типы модулей RDRAM. Обратите внимание, что во избежание путаницы с наименованиями модулей DDR, такими как PC800, в именах указана реальная пропускная способность модулей.

 

Компания Intel изначально сконцентрировала усилия на внедрении памяти Rambus, что, казалось, позволяло достичь значительного успеха на рынке. К сожалению, задержки в выпуске соответствующих наборов микросхем, возникшие из-за технических сложностей конструкции памяти RDRAM, послужили причиной того, что большинство производителей памяти вернулись к выпуску модулей SRDAM или перешли на выпуск DDR SDRAM. В результате оставшиеся производители подняли цену на RDRAM RIMM в три и более раз, примерно сравняв ее со стоимостью аналогичной по объему памяти DIMM. Впоследствии эта цена опустилась примерно до уровня DDR SDRAM, однако время было уже упущено, и компания Intel сместила акценты на выпуск наборов микросхем, поддерживающих только память DDR и DDR2.

Как уже неоднократно отмечалось, пропускная способность шины памяти должна соответствовать пропускной способности шины данных процессора, поэтому память DRAM RIMM идеально подходила для первых процессоров семейства Pentium 4. Тем не менее частота шины процессора Pentium 4 постоянно росла, а выпуск наборов микросхем системной логики, поддерживающих двухканальную память DDR, DDR2 и DDR3 сделал последние наилучшим вариантом для новейших процессоров Intel и AMD с точки зрения производительности.

Примечание!

К огорчению производителей микросхем памяти, компания Rambus получила патенты на стандартную память и конструкции DDR SDRAM. Поэтому, независимо от того, производят ли эти компании память SDRAM, DDR или RDRAM, им приходится выплачивать определенную сумму компании Rambus в качестве авторского гонорара. Судебные иски компаний, оспаривающих эти патенты, заметных результатов не принесли.

После того как в 2003 году поддержка памяти RDRAM практически сошла на нет, этот тип памяти быстро исчез с рынка. Так что если ваш компьютер оборудован модулями памяти RIMM, не имеет смысла вкладывать средства в модернизацию его памяти.



Sitelinkx by eXtro-media.de

Назначение выводов модулей DDR3 DIMM

В таблице показана конфигурация выводов 240-контактного модуля памяти DDR3 SDRAM DIMM. Выводы 1–120 находятся на передней, а 121–240 — на задней стороне модуля. Все контакты позолочены.

Модули DDR3 DIMM c 240 контактами имеют по два ключа на каждой стороне, что обеспечивает совместимость модулей с низко- и высокопрофильными фиксаторами разъемов системной платы. Ключ соединителя смещен по отношению к центру модуля DIMM во избеание установки модуля обратной стороной в разъем. Метка ключа размещена в центре между контактами 48 и 49 передней стороны модуля (между контактами 168 и 169 на задней стороне). Все модули DDR3 DIMM работают с напряжением 1,5 В, поэтому ключ напряжения отсутствует.

Выбор и установка модулей памяти

Установка дополнительных модулей памяти на системной плате — несложный способ увеличить объем памяти компьютера. Большинство систем имеют хотя бы один незанятый банк памяти, в который можно установить дополнительный модуль и таким образом повысить производительность компьютера.

В некоторых высокопроизводительных системах требуется установка двухканальной памяти, т.е. двух идентичных модулей памяти (одинакового объема, типа и быстродействия).

Приобретение модулей памяти

Существует ряд особенностей, на которые следует обращать внимание при покупке модулей памяти. Одни из них относятся к производству и распределению памяти, другие зависят от типа приобретаемых модулей. В этом разделе рассматриваются проблемы, с которыми можно столкнуться при покупке памяти.

Поставщики

Многие компании занимаются выпуском модулей памяти, но лишь некоторые производят их микросхемы. Существует только несколько компаний, производящих микросхемы памяти, на основе которых другие компании создают различные модули памяти, такие как DIMM и RIMM. Большинство изготовителей микросхем оперативной памяти создают также модули, содержащие собственные комплектующие, другие же, напротив, занимаются только производством модулей памяти, приобретая комплектующие у других производителей. Существует также определенная категория компаний, которые не производят ни модули, ни микросхемы памяти, — они приобретают модули других компаний и продают их под своей торговой маркой.

Модули памяти, изготовленные производителем микросхем, я отношу к первой группе, а модули, изготовленные той или иной компанией на основе приобретенных микросхем, — ко второй группе. Перемаркированные модули первой или второй группы, поступающие в продажу под торговой маркой какой-либо другой компании, относятся, как вы понимаете, к третьей группе. Если у меня есть возможность, я приобретаю модули памяти первой или второй группы, качество которых подтверждено соответствующими документами. Эти модули отличаются более надежными характеристиками, что и является гарантией их высокого качества. Не следует забывать и о том, что приобретение продукции первой или второй группы позволяет избавиться от одного или нескольких посредников, что сказывается на конечной стоимости товара.

К первой группе производителей (они выпускают как микросхемы, так и модули на их основе) относятся компании Micron, Infineon (бывшее подразделение Siemens), Samsung, Mitsubishi, Toshiba, NEC и некоторые другие. Ко второй группе производителей (они выпускают только модули) относятся компании Kingston, Viking, PNY, Simple Tech, Smart, Mushkin и OCZ Technologies. К третьей группе относятся компании, продающие модули, которые они приобретают не у производителей, а у других компаний-ресселеров.

Ведущие производители памяти обычно не занимаются розничными продажами, однако в последнее время некоторые из них открыли собственные Интернет-магазины, в которых индивидуальный пользователь может приобрести всего один модуль памяти. Так, Интернетмагазин одного из ведущих производителей памяти в мире, компании Micron, доступен по адресу www.crucial.com. Поскольку модуль приобретается непосредственно у производителя, цена оказывается чрезвычайно низкой по сравнению с предложениями других компаний, занимающихся розничной торговлей.

Модули SIMM

Приобретая модули памяти SIMM, обдумайте следующее.

  • Какая нужна версия: FPM (Fast Page Mode - быстрый постраничный режим) или EDO (Extended Data Out - память с расширенными возможностями вывода данных)?
  • Нужна память с поддержкой кода коррекции ошибок (ЕСС) или без нее?
  • Какое быстродействие памяти необходимо?
  • Можно ли воспользоваться модулями памяти, снятыми со старых систем, а не покупать новые (и более дорогие) модули?

В системах Pentium, созданных после 1995 года, использовались в основном модули памяти EDO SIMM без поддержки ЕСС, имеющие время доступа, равное 60 нс. При использовании более ранних систем вам потребуются, скорее всего, обычные модули типа FPM. Во многих системах модули FPM и EDO являются взаимозаменяемыми, но следует заметить, что тип EDO поддерживается далеко не во всех старых системах. Если система должна обеспечивать высокую надежность, используя ЕСС, потребуются версии памяти, поддерживающие коррекцию ошибок. В противном случае используются стандартные модули памяти, не имеющие поддержки ЕСС. При установке модулей различных типов система по умолчанию перейдет в режим, не поддерживающий ЕСС.

Модули SIMM типа FPM и EDO по сегодняшним стандартам являются устаревшими, так как уступают по стоимости и быстродействию модулям памяти более современных типов. В результате установка дополнительных модулей памяти в системе старого типа приведет к чрезмерным и бесполезным затратам.

Совет!

Вместо того чтобы приобретать модули памяти SIMM для старых систем в розничной продаже, поищите их, например, на радиорынке, в мастерских по ремонту компьютеров, а также у пользователей, которые регулярно модернизируют свои системы и у которых могут накопиться запасы старых комплектующих.

Модули памяти DIMM

Приобретая модули памяти DIMM, обратите внимание на следующие факторы.

  • Какая нужна версия: SDR, DDR, DDR2 или DDR3?
  • Необходима память с поддержкой ЕСС или без нее?
  • Какой тип памяти необходим: регистровый или небуферизированный (стандартный)?
  • Какое быстродействие памяти необходимо?
  • Требуется ли определенное время ожидания строба адреса столбца (Column Address Strobe — CAS)?

В настоящее время модули памяти DIMM поставляются в версиях SDRAM, DDR, DDR2 и DDR3. Модули разных типов не являются взаимозаменяемыми, так как в них используются совершенно разные схемы сигналов и определенное расположение ключевых пазов, позволяющее предотвратить их установку в несоответствующие разъемы. В системах, которые должны обеспечивать высокую надежность, например в файловых серверах, обычно используются модули, поддерживающие ЕСС, хотя во многих системах используются менее дорогие модули памяти, не имеющие поддержки кода коррекции ошибок. В большинстве систем используются стандартные модули памяти DIMM без дополнительной буферизации, но на системных платах файлового сервера или рабочей станции, предназначенных для поддержки довольно больших объемов памяти, могут устанавливаться специальные высокоэффективные модули DIMM. Модули памяти DIMM имеют целый ряд различных скоростей, поэтому при их использовании следует помнить о том, что “медленные” модули можно заменить модулями, имеющими более высокую скорость, но никак не наоборот. Например, если для корректной работы системы необходима память PC2700 DDR DIMM, то можно установить модули DDR DIMM версии PC3200, но не PC2100.

Время ожидания строба адреса столбца (CAS) является еще одним фактором, связанным с быстродействием модулей памяти. Эта спецификация, которая обозначается как CAS или CL, выражается в виде числа циклов, причем меньшее число циклов указывает на более высокую скорость памяти. Меньшее время ожидания CAS сокращает продолжительность цикла чтения в пакетном режиме, что в некоторой мере повышает эффективность памяти. Модули памяти DIMM с одинарной скоростью передачи данных (SDR) существуют в версиях CL3 и CL2, из которых более быстрой является память версии CL2. Модули DDR DIMM бывают двух версий — CL2,5 и CL2; модули DDR2 DIMM доступны в версиях CL3, CL4 и CL5; а модули DDR3 выпускаются в версиях CL7, CL8 и CL9. При установке модулей DIMM, имеющих разное время ожидания CAS, система по умолчанию приведет частоту циклического повтора к наиболее низкому общему знаменателю.

Модули памяти RIMM

Приобретая модули памяти RIMM, обратите внимание на следующие факторы.

  • Какая необходима версия: 184-контактная (16/18-разрядная) или 232-контактная (32/36-разрядная)?
  • Необходима память с поддержкой ЕСС или без нее?
  • Какое быстродействие памяти необходимо?

Существуют 184- и 232-контактная версии памяти RIMM, которые, несмотря на одинаковые размеры модулей, не являются взаимозаменяемыми. Модули разных версий отличаются расположением ключевых пазов, что позволяет избежать их установки в несоответствующие разъемы. В системах, которые должны обеспечивать высокую надежность, обычно используются модули, поддерживающие ЕСС, хотя во многих системах используются менее дорогие модули памяти, не имеющие такой поддержки. При установке модулей различных типов система по умолчанию переходит в режим, не поддерживающий ЕСС.

Замена модулей памяти более емкими версиями

Если все разъемы памяти на системной плате уже заняты, пришло время установить более емкие модули. Например, если на системной плате есть два разъема DIMM (каждый из которых представляет собой один банк памяти для процессора с 64-разрядной шиной данных), можно изъять из одного разъема модуль памяти и установить вместо него другой, более емкий. В частности, когда установлены два модуля по 256 Мбайт общей емкостью 512 Мбайт, замена одного из них другим, объемом 512 Мбайт, увеличит размер оперативной памяти до 768 Мбайт.

Тем не менее наличие модулей памяти с соответствующим количеством контактных выводов не гарантирует их работоспособности. Набор микросхем системной логики и BIOS налагают определенные ограничения на емкость используемых модулей памяти. Перед приобретением новых модулей ознакомьтесь с документацией к системной плате. Кроме того, убедитесь в наличии самой последней версии BIOS.



Sitelinkx by eXtro-media.de

Назначение выводов модулей RIMM

Каждый модуль RIMM имеет 184 позолоченных контакта (выдерживающих 25 операций вставки/извлечения), разделенных на две группы по 92 контакта на каждой стороне модуля.

Выводы 184-контактного модуля RIMM

Модули RIMM имеют посередине два ключа, которые, с одной стороны, предотвращают неправильную установку в разъем, а с другой — указывают рабочее напряжение. В настоящее время практически все модули RIMM имеют рабочее напряжение 2,5 В, новые 64-разрядные версии получат рабочее напряжение только 1,8 В. Для новых типов модулей предназначены дополнительные ключи (см. рисунок ниже). Один из ключей в модуле имеет фиксированное положение (он называется DATUM A), а на тип используемого модуля указывает другой ключ, который расположен на некотором расстоянии (с приращением 1 или 2 мм) от первого ключа DATUM A. В настоящее время используются модули типа А (2,5 В). Параметры ключей и их назначение приведены в таблице ниже.

 

Расположение ключей модулей RIMM

Параметры ключей модулей RIMM и их назначение

В каждом модуле RIMM устанавливается микросхема SPD, которая представляет собой перезаписываемое ПЗУ. В нем хранится информация о размере и типе RIMM, включающая более подробные сведения для контроллера памяти. Контроллер считывает эту информацию и конфигурирует с ее помощью установленную память.

На следующем рисунке показана схема установки модуля RIMM. Котроллер RDRAM и тактовый генератор обычно устанавливаются на системной плате и являются частью северного моста. Как видите, три модуля RIMM подключаются последовательно к контроллеру памяти. Каждый модуль содержит 4, 8 или 16 микросхем RDRAM, а также микросхему SPD. Каждый новый модуль RIMM необходимо подключать непосредственно за последним установленным. В пустые разъемы необходимо устанавливать модули согласования. Временные характеристики работы памяти накладывают ограничение на расстояние между первым разъемом RIMM и контроллером памяти на системной плате — не более 6 дюймов (15 мм). Общая длина шины не должна превышать расстояние, которое сигнал пройдет за четыре такта (около 5 нс).

 

Установка модулей RIMM на системной плате

Интересно, что компания Rambus не производит ни микросхем RDRAM, ни модулей RIMM; это делают другие компании. Rambus специализируется на разработке микросхем, а не на их производстве, позволяя другим компаниям использовать ее технологию при производстве устройств и модулей.

 

Установка модулей памяти DIMM или RIMM

В настоящем разделе рассматриваются вопросы, связанные с установкой модулей памяти различных стандартов, описываются проблемы, с которыми можно столкнуться, а также даются рекомендации по их устранению.

При установке или удалении памяти можно столкнуться со следующими проблемами:

  • накопление электростатических зарядов;
  • неправильно установленные модули DIMM;
  • неправильные параметры памяти в BIOS.

Чтобы предотвратить накопление электростатических зарядов при установке чувствительных микросхем памяти или плат, не надевайте одежду из синтетических тканей или обувь на кожаной подошве. Удалите все накопленные статические заряды, прикоснувшись к корпусу системы до начала работы, или, что еще лучше, наденьте на запястье специальный заземляющий браслет. Его можно купить в магазине электроники. Браслет представляет собой ремешок, соединенный проводом с корпусом компьютера через сопротивление величиной 1 МОм. Также перед началом работы обязательно выдерните вилку питания из розетки.

Внимание!

Используйте именно промышленный заземляющий браслет и не пытайтесь изготовить его самостоятельно. Промышленные браслеты имеют определенное сопротивление, которое защитит вас, если вы случайно прикоснетесь к токопроводящим частям компьютера. Наличие сопротивления гарантирует, что вы сами не станете элементом электроцепи с наименьшим сопротивлением и не будете в экстремальной ситуации поражены током.

Чтобы модернизировать память DIMM или RIMM в стандартном настольном ПК, выполните перечисленные ниже действия.

  1. Выключите компьютер и отсоедините его от сети. В качестве альтернативы можете выключить специальный тумблер на блоке питания компьютера, расположенный на задней стенке системного блока (если такой имеется). Подождите около 10 секунд, пока остаточный заряд не стечет с материнской платы.
  2. Откройте системный блок. Внимательно изучите его внутреннее устройство, держа под рукой документацию.
  3. Закрепив на руке антистатический браслет, подключите другой его конец к металлической части шасси. Убедитесь в том, что металлическая пластинка в ремешке плотно прилегает к кисти.
  4. На некоторых системных платах есть светодиод, который светится, если на системную плату подается электричество. Подождите, пока светодиод погаснет, прежде чем приступать к установке модулей памяти.
  5. Отодвиньте кабели и провода, которые преграждают доступ к разъему для установки модуля. Прежде чем отключить какойто кабель или провод обязательно запомните, как именно он был подключен, чтобы восстановить его положение после вставки модулей памяти.
  6. Чтобы извлечь существующий модуль DIMM или RIMM, разведите в стороны фиксаторы с каждой стороны модуля. Обратите внимание на прорезь-ключ на модуле памяти.
  7. Обратившись к руководству пользователя, определите, в какие именно разъемы необходимо вставить модули, чтобы обеспечить работу модуля в двухканальном режиме. Очень часто разъемы, относящиеся к разным каналам, попарно окрашены по-разному. Однако в любом случае следует начать с изучения руководства пользователя системной платы, чтобы точно знать, как именно следует устанавливать модули памяти.
  8. Чтобы вставить модуль DIMM или RIMM в разъем, убедитесь, что фиксаторы по сторонам разъема разведены в стороны. На модулях DIMM и RIMM присутствуют прорези-ключи, которые необходимо совместить с выступами-ключами разъемов для корректной установки (см. рисунок ниже).
  9. Вставьте модуль DIMM или RIMM таким образом, чтобы ключи на модуле и в разъеме совпали. При этом очень важно не прилагать чрезмерных усилий. Если модуль “не пошел”, возможно, вы просто неправильно сориентировали его относительно разъема. Прикладывая излишние усилия, вы рискуете повредить модуль или разъем. При установке модулей RIMM пустые разъемы следует заполнить модулями-заглушками.
  10. Подключите все кабели и/или провода, которые пришлось отключить перед установкой.
  11. Закройте системный блок, подключите кабель питания и включите компьютер.

 

После увеличения объема памяти и включения компьютера может потребоваться запустить программу настройки BIOS и сохранить установки, отражающие новый объем памяти. Большинство современных систем автоматически определяют установленный объем памяти и вносят необходимые изменения в настройки BIOS. Кроме того, уже достаточно давно после изменения объема установленной памяти на системной плате не приходится изменять положение перемычек и переключателей.

После добавления в систему новой памяти может потребоваться запустить специальную программу диагностики, чтобы убедиться, что память работает корректно. Некоторые модели системных плат запускают подобные программы автоматически. Как минимум две программы доступны для всех существующих систем. В порядке, учитывающем точность выполнения диагностики, это следующие программы:

  • POST (Power On Self Test — самопроверка при включении);
  • диагностическое ПО с расширенными возможностями, запускаемое с жесткого диска.

Программа POST запускается при каждом включении системы.
Кроме того, на рынке доступно довольно много других диагностических утилит.

 



Sitelinkx by eXtro-media.de

Подкатегории

Яндекс.Метрика