Процессоры

Фотолитография

На следующем этапе удаляют защитную пленку с тех мест, которые будут подвергаться дальнейшей обработке. Удаление пленки осуществляют травлением, а для защиты остальных областей от травления на поверхность пластины наносят слой так называемого фоторезиста. Термином «фоторезисты» обозначают светочувствительные и устойчивые к воздействию агрессивных факторов составы. Процесс нанесения фоторезиста и его дальнейшее облучение ультрафиолетом по заданному рисунку называется фотолитографией.

Для засветки нужных участков слоя фоторезиста используют специальный шаблон-маску. Чаще всего для этой цели применяют пластинки из оптического стекла с полученными фотографическим или иным способом непрозрачными элементами. Фактически такой шаблон содержит рисунок одного из слоев будущей микросхемы. Поскольку этот шаблон является эталоном, он должен быть выполнен с большой точностью. Ультрафиолетовое излучение, проходя сквозь шаблон, засвечивает только нужные участки поверхности слоя фоторезиста. После облученияфоторезист подвергают проявлению, в результате которого удаляются ненужные участки слоя. При этом открывается соответствующая часть слоя диоксида кремния.

Фотолитографический процесс является наиболее сложным в производстве микросхем. Дело в том, что в соответствии с законами волновой оптики минимальный размер пятна, в который фокусируется лазерный луч, определяется, кроме прочих факторов, длиной световой волны. Развитие литографической технологии со времени ее изобретения в начале 1970-х годов шло в направлении сокращения длины световой волны. Именно это позволяло уменьшать размеры элементов интегральной схемы. С середины 1980-х годов в фотолитографии использовали ультрафиолетовое излучение, получаемое с помощью лазера. Сейчас применяют технологию, получившую название EUV-литографии (Extreme UltraViolet — сверхжесткое ультрафиолетовое излучение с длиной волны 13 нм). EUV-литография делает возможной печать линий шириной до 30 нм.

В производстве процессоров используют сухой метод травления: для удаления с поверхности пластины диоксида кремния применяют ионизированный газ (плазму). После процедуры травления, то есть когда оголены нужные области чистого кремния, удаляется оставшаяся часть фотослоя. Таким образом, на кремниевой подложке остается рисунок, выполненный диоксидом кремния.

Яндекс.Метрика